奇碼筆試真題(一)

第一卷

一、填空

　　奇碼筆試1，集成電路的分類，按資料，工藝

　　奇碼筆試2，集成電阻的計(jì)算，以及其制造工藝

　　奇碼筆試3，Vtp，Vtn的正負(fù)判別，分別關(guān)于加強(qiáng)型和耗盡型

　　奇碼筆試4，CMOS電路功耗包括哪兩個(gè)局部，功耗設(shè)計(jì)主要思索的要素

二、填表

　　全定制，門(mén)陣列，F(xiàn)PGA各自單元模塊，連線的性質(zhì)

三、填圖

　　CMOS工藝流程填圖畫(huà)圖

四、問(wèn)答

　　奇碼筆試1，CMOS單元負(fù)載較大的電容時(shí)，只要進(jìn)步W，這樣會(huì)使W*L增加，相對(duì)前級(jí)又時(shí)一個(gè)大電容，如何處理這一矛盾?

　　奇碼筆試2，分離軟件談?wù)勅�定制集成電路設(shè)計(jì)流程

　　奇碼筆試3，談?wù)剬?duì)Layout設(shè)計(jì)的見(jiàn)地

五、翻幅員或者畫(huà)幅員，選一

第二卷

　　奇碼筆試1，什么時(shí)格雷碼?

　　奇碼筆試2，Nyquist采樣定例

　　奇碼筆試3，球一米高落下，每次探起一半，求路途和重力做功

　　奇碼筆試4，運(yùn)算放大器1，…………2，有幾級(jí)，各級(jí)之間耦合方式有幾種，剖析各種的優(yōu)劣。

奇碼筆試真題(二)

　　個(gè)人感覺(jué)奇碼筆試本年度硬件工程師題目難度不大，總體上奇碼筆試給人很大的發(fā)揮空間，建議各位審題時(shí)再留點(diǎn)神。

　　1、 二進(jìn)制數(shù)10101110分別寫(xiě)出一下要求的十進(jìn)制數(shù)

　　1)無(wú)符號(hào) 2)有符號(hào) 3)補(bǔ)碼

　　00110010.11寫(xiě)出十進(jìn)制是多少?

　　2、 什么是通信中的DFT FFT?有什么作用優(yōu)點(diǎn)?有那些基本算法?如果你是自己設(shè)計(jì)，你會(huì)使用哪些基本指令?

　　3、 什么是格雷碼?

　　4、 什么是相對(duì)跳轉(zhuǎn)指令?

　　5、 一個(gè)小球從一米高的地方落下來(lái)，每次反彈的高度是上一次的一半問(wèn)小球經(jīng)過(guò)的總路徑?重力做功多少?

　　6、 nyquist定理的內(nèi)容是什么?簡(jiǎn)單說(shuō)明理由?

　　7、 說(shuō)明同步復(fù)位和異步復(fù)位各有什么缺點(diǎn)?你有什么辦法可以解決?

　　8、 簡(jiǎn)單說(shuō)明運(yùn)算放大器的超前補(bǔ)償和滯后補(bǔ)償?shù)脑��?運(yùn)算放大器有那幾部分組成?各級(jí)之間有那幾種耦合方式?

奇碼筆試真題(三)

　　1.畫(huà)出NMOS 的特性曲線(指明飽和區(qū)，截至區(qū)，線性區(qū)，擊穿區(qū)和C-V 曲線)

　　2.2.2um 工藝下，Kn=3Kp，設(shè)計(jì)一個(gè)反相器，說(shuō)出器件尺寸。

　　3.說(shuō)出制作N-well 的工藝流程。

　　4.雪崩擊穿和齊納擊穿的機(jī)理和區(qū)別。

　　5.用CMOS 畫(huà)一個(gè)D 觸發(fā)器(clk，d，q，q-)。