如下跟大家分享的內(nèi)容都是我今年4月分參加美國芯源(MPS)筆試所做的內(nèi)容，分享給大家！
　　IP Engineer

　　1. 給六個元件，讓描述各元件功能，以及其中電壓，電流之間的關(guān)系，有MOSFET，二極管，電容，電感，電阻，BJT;

　　2. 電壓比較器，給了輸入值，讓寫出輸出值;

　　3. 電容和電阻并聯(lián)，再與一個二極管串聯(lián)的電路，在電容，電阻，二極管分別斷開情況下，給定輸入電壓變化曲線，畫輸出電壓，涉及到電容充放電的過程，時間計算等

　　4. 兩段英文翻譯成中文(關(guān)于板背光顯示，開關(guān)電源)，和一段中文翻譯成英文。

　　Test Engineer(應該是最簡單的一套題，但考試范圍很廣，要求各方面基礎(chǔ)扎實)

　　1. 你最喜歡的一門課，說出原因;2，歐姆定律定義;3，用C語言給數(shù)組排序。

　　5. 電壓源，電流源的阻抗性質(zhì)，用他們和電阻組成電路，要求測阻值;設(shè)計用電壓源測二極管的好壞的電路

　　6. 電容，電感定義，流經(jīng)的電流與電壓關(guān)系。

　　7. 畫高斯分布曲線

　　8. 算一個波形的周期，占空比

　　9. 畫NMOSFET的電壓電流傳輸曲線

　　10. 有電感，電容，開關(guān)串聯(lián)組成的電路，開關(guān)通斷時，給定輸入波形后畫輸出波形

　　11. 上題中加入電容后，繼續(xù)畫波形(電路分析多看看就沒問題)

　　12. 后面幾道題基本都是電容，電感，開關(guān)，二極管組成的電路，要求畫輸出波形;

　　13. 還有幾道有關(guān)運放的題，主要在電壓比較器，加減法電路，基本都是畫波形。

FA/Product Engineer

　　1. PMOS管中，G，D短接后的輸出特性曲線，在Vds變化時的輸出特性曲線

　　2. NMOS中，Vds<0，Vgs=0的I-V曲線;

　　3. NPN BJT中，畫Ic和Vce特性曲線，Vce從0-50V;

　　4，標準CMOS反向器，描述至少一種歐姆接觸，畫DC轉(zhuǎn)移函數(shù)

　　5.描述CMOS反向器閂鎖效應，涉及的有關(guān)問題

　　還有兩道鏡像電流源有關(guān)的計算題，和一個遲滯比較器的計算題。